Применение карбида кремния в области полупроводников
Благодаря микроморфологии и кристаллической структуре наноматериалов из карбида кремния, они обладают превосходными свойствами и более широкими областями применения. Обычно их считают высокотемпературными полупроводниковыми материалами, в основном включая карбид кремния , нитрид галлия, нитрид алюминия, оксид цинка, алмаз и т. д. Эти материалы обладают высокой теплопроводностью, высоким пробивным электрическим полем, высокой радиационной стойкостью, высокой скоростью насыщения электронов и т. д. Преимущества: подходят для изготовления высокотемпературных, высокочастотных, радиационно-стойких и мощных устройств. Полупроводниковые материалы третьего поколения имеют очень широкие перспективы применения в будущем благодаря своим превосходным свойствам.