Применение карбида кремния в области полупроводников

Применение карбида кремния в области полупроводников
Одномерные наноматериалы SiC обладают более уникальными превосходными свойствами и более широкими перспективами применения благодаря своей собственной микроскопической морфологии и кристаллической структуре. Они, как правило, считаются важным компонентом широкозонных полупроводниковых материалов третьего поколения. Полупроводниковые
материалы третьего поколения являются широкозонными полупроводниковыми материалами, также известными как высокотемпературные полупроводниковые материалы, в основном включающие карбид кремния, нитрид галлия, нитрид алюминия, оксид цинка, алмаз и т. д. Этот тип материала обладает характеристиками широкой ширины запрещенной зоны, высокой теплопроводности, высокого электрического поля пробоя, высокой радиационной стойкости, высокой скорости насыщения электронов и т. д. и подходит для производства высокотемпературных, высокочастотных, радиационно-стойких и мощных устройств. Благодаря своим превосходным характеристикам полупроводниковые материалы третьего поколения имеют очень широкие перспективы применения в будущем.