
Применение β-карбида кремния (β-SiC) в полупроводниковой промышленности
Применение β-карбида кремния (β-SiC) в полупроводниковой промышленности β-SiC, также известный как 3C-SiC, имеет кубическую кристаллическую структуру типа цинковой обманки и является метастабильной фазой. Он отличается от коммерчески доминирующего 4H-SiC (гексагональная α-фаза), используемого в силовых устройствах. Он имеет ширину запрещенной зоны приблизительно 2,36 эВ, высокую подвижность электронов, поддерживает гетероэпитаксию на кремниевых подложках и обеспечивает превосходную термостойкость,

